新型微差压变送器特点
阅读：434发布时间：2014-2-20
随着科技的发展，越发需要高精度计量微压。为此，多方在作研究开发，不同程度地初步取得一些进展。
下面侧重介绍以长期积累的半导体压力传感器技术为基础，并利用硅单晶扩散技术和硅微加工技术，先行开发出0～98Pa、0—588．4Pa(0—10～0—60mmH：0)的半导体低压传感器，进而采用此种半导体低压传感器，开发研制出一种新型微差压变送器。从而实现了高精度检测微压的愿望。
新型微差压变送器的结构不同一般，其主要特点就是采用了半导体微压传感器。
1．半导体微压传感器
用硅膜片式压力传感器检测低压时，为了获得较大的输出，硅膜片的厚度势必要做得很薄。然而，膜片过薄，就会产生所谓气球效应的大挠曲现象，要获得与压力成正比的输出便是个难题。为了解决这个难题而开发研制出一种硅膜片中心带刚体的E型半导体压力传感器，可高精度检测0～588．9Pa的低压。
近期又有新进展，开发研制出一种可检测0～98Pa、0～588．4Pa的半导体微压传感器。为通常使用的c型传感器、中心带刚体的E型传感器及新近开发研制的EI型传感器的构造。这3种形式都是采用扩散法在n型硅基片的表面形成P型应变电阻。
E型传感器采用环状元件，以减小施加压力时产生的挠曲，并可提高低压检测精度，而Ⅱ型传感器则由两根应变杆和极薄的膜片构成。因此，外加压力主要是用来使应变杆弯曲，应变杆能感应微小的压力。并且，将应变电阻形成在与E型传感器的弹性元件具有相同粗度的应变杆上，可以获得线性输入一输出特性。这种场合，采用细应变杆和薄膜片，对提高特性较为有利。
