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扩散硅压力变送器在高压环境下可靠性如何
2025-4-29 阅读(129)
扩散硅压力变送器在高压环境下的可靠性主要体现在以下几个方面：
高灵敏度：扩散硅敏感电阻的灵敏因子比金属应变片高50～80倍，它的满量程信号输出在80-100mv左右。由于它输入激励电压低，输出信号大，且无机械动件损耗，因而分辨率。
高可靠性：扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片最大位移量在来微米数量级，且无机械磨损，无疲劳，无老化。平均时间长，性能稳定，可靠性高。
高精度：扩散硅压力传感器的感受、敏感转换和检测三位一体，无机械动件连接转换环节，所以不重复性和迟滞误差很小。由于硅材料的刚性好莱坞，形变小，因而传感器的线性也非常好。因此综合表态精度很高。
高抗电击穿性能：由于采用了特殊材料和装配工艺，扩散硅传感器不但可以做到130°C正常使用，在强磁场、高电压击穿试验中可抗击1500V/AC电压的冲击压力变送器。
耐腐蚀性好：由于扩散硅材料本身优良的化学防腐性能好，即使传感器受压面不隔离，出能在普通使用中适应各种介质。硅材料又与硅油有良好的兼容性，使它在采用防腐材料隔离时结构工艺更易于实现。
综上所述，扩散硅压力变送器在高压环境下的可靠性较高，能够满足各种复杂工控环境下对压力的检测需求。
