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扩散硅压力变送器在高压环境下可靠性如何

2025-4-29  阅读(121)

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  扩散硅压力变送器在高压环境下的可靠性主要体现在以下几个方面:
 
  高灵敏度:扩散硅敏感电阻的灵敏因子比金属应变片高50~80倍,它的满量程信号输出在80-100mv左右。由于它输入激励电压低,输出信号大,且无机械动件损耗,因而分辨率。
 
  高可靠性:扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级,膜片最大位移量在来微米数量级,且无机械磨损,无疲劳,无老化。平均时间长,性能稳定,可靠性高。
 
  高精度:扩散硅压力传感器的感受、敏感转换和检测三位一体,无机械动件连接转换环节,所以不重复性和迟滞误差很小。由于硅材料的刚性好莱坞,形变小,因而传感器的线性也非常好。因此综合表态精度很高。
 
  高抗电击穿性能:由于采用了特殊材料和装配工艺,扩散硅传感器不但可以做到130°C正常使用,在强磁场、高电压击穿试验中可抗击1500V/AC电压的冲击压力变送器。
 
  耐腐蚀性好:由于扩散硅材料本身优良的化学防腐性能好,即使传感器受压面不隔离,出能在普通使用中适应各种介质。硅材料又与硅油有良好的兼容性,使它在采用防腐材料隔离时结构工艺更易于实现。
 
  综上所述,扩散硅压力变送器在高压环境下的可靠性较高,能够满足各种复杂工控环境下对压力的检测需求。
 

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